Контрольно-измерительные приборы
E2EQ-X22B1D30 2M OMS
Датчик индуктивный, фторопластовое покрытие корпуса, M30, заподлицо, 22 мм, DC, 3-пров., PNP НО, IO-
14985р.
E2EQ-X2C18 2M OMS
Датчик индуктивный, фторопластовое покрытие корпуса, M8, заподлицо, 2 мм, DC, 3-пров., NPN НО, кабел
9542р.
E2EQ-X2C18-M1 OMS
Датчик индуктивный, фторопластовое покрытие корпуса, M8, заподлицо, 2 мм, DC, 3-пров., NPN НО, разъё
9542р.
E2EQ-X2B1T8 2M OMS
Датчик индуктивный, фторопластовое покрытие корпуса, M8, заподлицо, 2 мм, DC, 3-пров., PNP НО, IO-Li
9542р.
E2EQ-X2B1D8-M1 OMS
Датчик индуктивный, фторопластовое покрытие корпуса, M8, заподлицо, 3 мм, DC, 2-wire, PNP НО, IO-Lin
9542р.
E2EQ-X3C18 2M OMS
Датчик индуктивный, фторопластовое покрытие корпуса, M8, заподлицо, 3 мм, DC, 3-пров., NPN НО, кабел
12230р.
E2EQ-X3C18-M1 OMS
Датчик индуктивный, фторопластовое покрытие корпуса, M8, заподлицо, 3 мм, DC, 3-пров., NPN НО, разъё
12230р.
E2EQ-X3B1D8-M1 OMS
Датчик индуктивный, фторопластовое покрытие корпуса, M8, заподлицо, 3 мм, DC, 3-пров., PNP НО, IO-Li
12230р.
E2EF-QX3D1-M1TGJ 0.3M
Датчик индуктивный, цельнометаллический с фторполимерным покрытием, с увелич. расст., M12, заподлицо
14044р.
E2EF-QX7D1-M1TGJ 0.3M
Датчик индуктивный, цельнометаллический с фторполимерным покрытием, с увелич. расст., M18, заподлицо
14716р.
E2EF-QX12D1-M1TGJ 0.3M
Датчик индуктивный, цельнометаллический с фторполимерным покрытием, с увелич. расст., M30, заподлицо
20361р.
E2EF-QX2D1-M1TGJ 0.3M
Датчик индуктивный, цельнометаллический с фторполимерным покрытием, с увелич. расст., M8, заподлицо,
14380р.
E2FM-QX5D1-M1GJ-T 0.3M
Датчик индуктивный, цельнометаллический фторопластовое покрытие, M18, заподлицо, 5мм, DC, 2-проводн
22982р.
E2FM-QX10D1-M1GJ-T 0.3M
Датчик индуктивный, цельнометаллический фторопластовое покрытие, M30, заподлицо, 10мм, DC, 2-провод
20966р.